投資要點

 

    第三代半導體龍頭股在高頻高壓場景優(yōu)勢明顯，碳化硅為核心材料。第三代半導體材料具有禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，在高頻、高壓、高溫等工作場景中，有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢。碳化硅已成為目前應用最廣、市占率最高的第三代半導體材料概念股，碳化硅器件概念股全球市場規(guī)模超過10 億美元。

 

    多應用領(lǐng)域驅(qū)動需求爆發(fā)，供給側(cè)缺口巨大。碳化硅器件在電動汽車、光電新能源、軌道交通概念股等領(lǐng)域均存在廣泛應用前景。碳化硅市場快速增長的兩大驅(qū)動力：1）新能源汽車加速滲透，800V 高壓快充平臺加速布局，拉動車用碳化硅器件需求，我們測算2025 年全球新能源車車用6 英寸碳化硅晶圓市場空間將達143 億元；2）風光儲拉動碳化硅器件需求，我們測算2025 年全球風光儲新增裝機量將達687GWh，帶來44.5 億元6 英寸碳化硅晶圓需求量的增長。從供給端來看，碳化硅襯底、外延材料制作難度大，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能受限，全球廠商持續(xù)投入，但仍存在巨大供給缺口。

 

    各環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘高海外龍頭壟斷，產(chǎn)業(yè)鏈概念股加速國產(chǎn)替代。SiC 襯底占產(chǎn)業(yè)鏈主要價值量，具有極高制造難度，得益于國內(nèi)政策大力扶持，襯底領(lǐng)域出現(xiàn)良好國產(chǎn)替代契機。SiC 外延設備仍呈現(xiàn)四大龍頭壟斷格局，國內(nèi)廠商緊追國際前沿加速切入外延晶片生產(chǎn)領(lǐng)域，已具備較高生產(chǎn)水平并逐漸接近海外領(lǐng)先水平。新一代半導體材料促使全新的封裝工藝產(chǎn)生，有望帶來價值量的提升。SiC 功率器件時代來臨，國內(nèi)企業(yè)緊握超車機會，SiC 器件和Si 器件價差不斷縮小，國產(chǎn)替代進程有望進一步提速。

 

    相關(guān)公司梳理：看好碳化硅概念股國產(chǎn)替代進程，建議布局產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)機會。全球碳化硅行業(yè)概念股存在巨大供給缺口，國內(nèi)多項政策扶持利好相應國產(chǎn)廠商，國內(nèi)上下游廠商積極布局擴產(chǎn)，有望持續(xù)加速搶占全球市場份額。建議關(guān)注碳化硅領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資機會，建議關(guān)注三安光電概念股（碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈IDM，配合國際大客戶驗證相關(guān)產(chǎn)品）、斯達半導（SiC 車規(guī)主驅(qū)模塊性能領(lǐng)先，獲得多家車企客戶定點）、天岳先進（SiC 襯底獲得大規(guī)模訂單，有望進入車規(guī)應用）、時代電氣概念股（高壓電驅(qū)平臺突破，大功率碳化硅主驅(qū)產(chǎn)品C-Power 發(fā)布）、士蘭微（IDM 龍頭廠商，快速上量SiC 芯片生產(chǎn)線）、東尼電子（SiC 襯底產(chǎn)能突破，加速國產(chǎn)替代）、露笑科技概念股（SiC襯底產(chǎn)能加速擴張）、北方華創(chuàng)（SiC 長晶爐設備領(lǐng)域龍頭）等。

 

    風險提示：下游需求不及預期、擴產(chǎn)速度概念股不及預期、競爭格局加劇

 

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