N型替代P型電池 演繹加速，開啟放量元年。根據(jù)CPIA發(fā)布的 2021年光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展線路圖PERC 占比91.2%，但目前PERC 轉(zhuǎn)換效率的升級(jí)空間較小，新技術(shù)釋放需求迫切，主要以N-TOPCon、N-HJT 和IBC 三大技術(shù)路線為主。從擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模角度來看，N-TOPCon 和N-HJT 均已到達(dá)百GW 級(jí)別，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度較快。

 

    N-TOPCon VS N-HJT。效率端：實(shí)驗(yàn)室效率上，晶科N-TOPCon 達(dá)到26.10%，隆基綠能HJT 為26.50%，邁為聯(lián)合SunDrive 低銦銅電鍍與低銦銀包銅HJT 分別達(dá)到25.94%與25.62%；量產(chǎn)效率方面，先導(dǎo)智能TOPCon 量產(chǎn)效率突破25%；東方日升HJT 中試平均效率達(dá)到25.2%；華晟目標(biāo)導(dǎo)入雙面微晶HJT 達(dá)成量產(chǎn)效率25.5%。成本端：目前在硅片成本上HJT 較TOPCon 有15-20 微米左右的薄片優(yōu)勢(shì)，但在非硅成本上銀漿耗量接近PERC 的兩倍，同時(shí)設(shè)備投資額約3-4 億元/GW，高于PERC-1.2-1.5 億元/GW 和TOPCon 的1.6-1.8 億元/GW。HJT 硅片端的減薄優(yōu)勢(shì)難以覆蓋非硅成本的劣勢(shì)。而TOPCon 當(dāng)前正在快速導(dǎo)入135μm 并有望降低至120μm，較PERC 主流的155-160 微米厚度同樣具備減薄優(yōu)勢(shì)。根據(jù)PV InfoLink 測(cè)算目前N-TOPCon 組件端成本較PERC高0.02-0.06 元/瓦，并有望成本持平。結(jié)合目前N-TOPCon 組件端0.1 元/瓦左右的溢價(jià)，N-TOPCon 已經(jīng)具備較強(qiáng)的盈利能力。

 

    當(dāng)前TOPCon 或?yàn)樵O(shè)備投資最優(yōu)解。我們認(rèn)為現(xiàn)階段TOPCon 與HJT的量產(chǎn)效率并未拉開明顯差距(小于1%)，但金屬化成本上存在巨大差異，HJT 的效率、薄片化和疊層優(yōu)勢(shì)暫未顯現(xiàn)。但HJT 降本路徑明確，若后續(xù)拉開與TOPCon 的薄片化進(jìn)度，同時(shí)銀包銅/銅電鍍、鋼板印刷/激光轉(zhuǎn)印等技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，則HJT 可以實(shí)現(xiàn)快速降本反超TOPCon。

 

    TOPCon 設(shè)備選擇：目前TOPCon 主流量產(chǎn)路線仍然以LPCVD 和PECVD 技術(shù)為主。LPCVD+磷擴(kuò)占據(jù)上半年90%的出貨，目前行業(yè)占比約67%，設(shè)備成熟度高但存在繞鍍問題；PECVD 路線目前行業(yè)占比約為24%，PECVD 優(yōu)勢(shì)在于繞鍍問題小，單臺(tái)產(chǎn)能大。同時(shí)PECVD 也可結(jié)合PEALD 達(dá)到較好均勻性和致密性的氧化硅層。目前LP 和PE 路線CAPEX 接近，若后續(xù)PE 路線良率優(yōu)于LP 疊加大產(chǎn)能和少繞鍍優(yōu)勢(shì)或?qū)⒊蔀閿U(kuò)產(chǎn)主流�？紤]到N 型技術(shù)轉(zhuǎn)型，我們預(yù)計(jì)今明兩年為電池設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)高峰期，對(duì)應(yīng)TOPCon 設(shè)備市場(chǎng)空間約119.65 億元和213.05 億元。